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BD645中文资料

  • 大小：108.24KB
  • 厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述：isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
  • 制造商：Bourns
  • 产品种类：Transistors Darlington
  • 配置：Single
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 集电极—基极电压 VCBO：80 V
  • 最大直流电集电极电流：8 A
  • 最大集电极截止电流：200 uA
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：750
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 工厂包装数量：50

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更新时间:2023-01-23 19:53:35
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